Транзистор 11N65M2 (11A, 650V) MOSFET

Серия 11N65M2 — это высокоэффективные N-канальные полевые транзисторы (MOSFET), созданные по технологии MDmesh™ M2. Они отличаются крайне низким сопротивлением в открытом состоянии и оптимизированным зарядом затвора, что делает их идеальными для современных импульсных источников питания (SMPS) с высокой частотой переключения.

Различия в маркировках и корпусах:

При выборе обратите внимание на тип корпуса, который указан в префиксе:

• STP11N65M2 — корпус TO-220 (классический выводной, для установки на радиатор).
• STD11N65M2, STD11NM65N, STD11NM65, 11NM65N - корпус DPAK (TO-252) (SMD-монтаж, для поверхностной пайки).
• STU11N65M2 — корпус IPAK (TO-251) (выводной, компактный вариант DPAK).

Технические характеристики:

• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 650 В
• Ток стока (Id): 9 - 11 А (в зависимости от условий охлаждения)
• Сопротивление (Rds on): ~0.61 Ом
• Технология: MDmesh™ M2 (низкие потери при переключении)
• Производитель: STMicroelectronics

Применение:

Используются в качестве силовых ключей в блоках питания LCD/LED телевизоров, адаптерах ноутбуков, осветительных приборах и зарядных устройствах. Высокое напряжение 650V обеспечивает отличный запас надежности при скачках в сети.

Важно: При замене в блоке питания рекомендуется проверять исправность всей "обвязки" (ШИМ-контроллер, диоды, резистор в цепи затвора), чтобы исключить повторный выход транзистора из строя.