Полевой транзистор 18NM60N (N-Channel MOSFET)

18NM60N — мощный высоковольтный N-канальный полевой транзистор, созданный по инновационной технологии MDmesh™ II. Благодаря сочетанию низкого сопротивления в открытом состоянии и оптимизированного заряда затвора, этот MOSFET обеспечивает высокую энергоэффективность в современных схемах преобразования энергии.

Основные технические характеристики:

• Тип канала: N-Channel (N-канальный)
• Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 600 В
• Ток стока (Id): 13 А (при температуре 25°C)
• Импульсный ток стока (Idm): до 52 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds on): < 0.285 Ом (типовое 0.26 Ом)
• Тип корпуса: чаще всего TO-220 (STP18NM60N) или TO-220FP (STF18NM60N — изолированный)
• Производитель: STMicroelectronics

Область применения:

Транзистор 18NM60N широко используется в качестве силового ключа в:

• Импульсных блоках питания (SMPS) телевизоров и серверов.
• Адаптерах питания большой мощности.
• Активных корректорах коэффициента мощности (PFC).
• Светодиодном освещении и инверторах.

Совет для ремонта: При замене вышедшего из строя транзистора серии NM60N рекомендуем проверять драйвер управления затвором. Если вы используете версию в корпусе TO-220FP (изолированный), дополнительная слюдяная прокладка при монтаже на радиатор не требуется.

18NM60N, STB18NM60N, STF18NM60N, STI18NM60N · STP18NM60N, STW18NM60N, 18NM60N, N-channel 600v, 13A