30.00
В наявності
Доступно 30 шт.
Полевой транзистор FQP10N60C — высоковольтный N-канальный MOSFET, изготовленный по фирменной технологии QFET (planar stripe DMOS) от Fairchild / ON Semiconductor. Транзистор выполнен в стандартном корпусе TO-220. Купить транзистор FQP10N60C в Украине с быстрой доставкой.
Основные технические характеристики (Technical Specifications):
- Тип транзистора: MOSFET (полевой с изолированным затвором)
- Полярность управляющего канала: N-Channel (N-канал)
- Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 600 В (V)
- Максимальный постоянный ток стока (Id): 9.5 А (при Tc = 25°C) / 5.7 А (при Tc = 100°C)
- Максимальный импульсный ток стока (Idm): 38 А
- Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Rds(on)): < 0.73 Ом (при Vgs = 10V)
- Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): ±30 В
- Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 2.0 ... 4.0 В
- Полный заряд затвора (Qg): 44 нКл (типичный)
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 Вт
- Тип корпуса: TO-220 (неизолированный)
- Производитель: Fairchild / ON Semiconductor
Будь ласка авторизуйтесь або зареєструйтесь для перегляду
Мітки: FQP10N60C, 10N60C, MOSFET, транзистор, N-Channel, 600V, 9.5A, TO-220, Fairchild, onsemi, радиодетали
