Немає в наявності
Мощный IGBT транзистор GT30F125 (маркировка на корпусе: 30F125) от компании Toshiba в изолированном пластиковом корпусе TO-220SIS. Транзистор спроектирован специально для работы в высокоскоростных импульсных цепях кадровой и строчной развертки блок-модулей Y-Main (Y-SUS) и Z-Main (X-SUS) плазменных панелей (PDP TV) производства LG, Samsung и Panasonic.
Отличается сверхнизким временем переключения, высокой устойчивостью к импульсным перегрузкам по току (до 200 А в импульсе) и встроенным быстродействующим антипараллельным диодом.
Основные характеристики:
Наименование: GT30F125
Маркировка на корпусе: 30F125
Производитель: Toshiba
Тип транзистора: IGBT (с диодом)
Тип корпуса: TO-220SIS (полностью изолированный пластиковый корпус)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 330 В
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic @ 25°C): 30 А
Максимальный импульсный ток коллектора (Icp): 200 А
Напряжение затвор-эмиттер (Vges): ±30 В
Состояние: оригинальное качество
Мітки: GT30F125, 30F125, Toshiba, IGBT транзистор, TO-220SIS, Y-Main, Z-Main, плазменный телевизор, запчасти для телевизоров, ремонт ТВ Николаев
